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Las 10 mejores frases de investigación

Radical, pero no el acceso reconocido por todos al aumento de la velocidad de la memoria dinámica consiste en el empotramiento en los microesquemas DRAM de propio cache-memoria. Esto Cached DRAM (CDRAM) y Enhanced DRAM (EDRAM). La memoria CDRAM es producida por la firma Mitsubishi y tiene 16 KB los caches-memorias en 4, así como en 16 Mbit el cristal, el cambio entre el cache-memoria dinámico y empotrado se realiza por las palabras de la anchura de 128 categorías

Notaremos que el sistema BIOS, además de los programas de la interacción con los materiales en el nivel físico, contiene el programa del test a la inclusión la alimentación del ordenador POST (Power-On-Self-Test) y el programa del cargador inicial. El último programa es necesario para la carga del sistema de operaciones del acumulador correspondiente

Para estos mecanismos se usa son iguales. Al mismo tiempo la velocidad real está determinada en la mayoría de los casos también al volumen y la eficiencia del cache-memoria empotrado, también el tiempo de la búsqueda. La mayoría de los acumuladores en 3 GB tiene el cache-memoria 1 MB, y es muy pocos modelos — 4 MB. Se puede juzgar por la cantidad del tiempo máximo de la búsqueda. La aparición de la generación siguiente de acumuladores que usan los discos la capacidad 6 GB, se espera en el futuro próximo, tan pronto como serán aceptados los estándares correspondientes, que son necesarios que la producción de las firmas diferentes sea compatible

Los fabricadores principales chipset para los adaptadores gráficos — la firma S3, ATI, Cirrus Logic, Trident y otros — han previsto en la nueva generación de los productos excepto estandartizado Windows las acceleraciones y también la aceleración del vídeo de las operaciones, y para último los resultados buenos resultan hasta al uso de la memoria estandartizada dinámica y EDO DRAM. Sin embargo como antes alcanzar al mismo tiempo los altos significados para la velocidad de la regeneración, los permisos y la profundidad del color consigue solamente a la aplicación de dos memorias portuarias como VRAM y WRAM

Recordaremos que bajo las instalaciones regulares (Standard CMOS Setup) comprendemos la información a la fecha (el mes, el día,, las indicaciones corrientes de las horas (las horas, el minuto, el segundo), la cantidad estandartizado y extendido (en los kilobytes), los parámetros técnicos y el tipo de los acumuladores, la visualización, también sobre la conexión del teclado. El suplente por ejemplo que si en este programa en la línea Keyboard decir "Not Installed", hasta por falta del teclado el ordenador no dará el mensaje de error

En el sistema BIOS hay un programa llamado Setup, que puede cambiar el contenido de la CMOS-memoria. Se ofrece este programa por la cierta combinación de las teclas, que es representada habitualmente en calidad del soplo del monitor después de la inclusión de la alimentación del ordenador. Durante la carga del ordenador es posible poner en marcha el programa Setup para el sistema BIOS

Los microesquemas de la memoria estandartizada estática son producidos en general en los cuerpos como DIP y SOJ. La memoria como pipelined burst o es soldada al pago de sistema en seguida durante su fabricación, o es suministrado en forma de los módulos

64-de descarga chipset ATI Mach264CT las firmas ATI TGU19680 de la firma Trident aceleran también la ejecución del vídeo de las operaciones y son contados en los tipos diferentes de la memoria — apoyan DRAM y EDO R, VRAM (ATI) y WRAM (Trident)

Para el audio/vídeo de los discos duros del parámetro importante es la velocidad garantizada del traspaso de la información. Para los primeros discos de la firma Micropolis componía 9 MB/s, cerca de los modelos Gold Line modernos es aumentada hasta 4 MB/s. IBM para los discos Ultrastar AV garantiza 5 MB/s